최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2014-0072297 (2014-06-13) | |
공개번호 | 10-2015-0143151 (2015-12-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140072297 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명의 기술적 사상에 의한 웨이퍼의 연마 방법은, 웨이퍼 후면(wafer back side)을 폴리싱하는 1차 폴리싱 단계; 상기 웨이퍼 후면에 존재하는 결함을 검출하는 단계; 상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인지 판단하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인 경우 상기 웨이퍼 후면을 리폴리싱하는 2차 폴리싱 단계;로 이루어진다. 이에 따라 그라인딩 및 폴리싱 단계에 의해 발생하는 결함들이 허용 범위 내가 되도록 재가공될 수 있으므로, 웨이퍼 후면의 균일한 품질을 확보할 수 있어 웨이퍼의 불량률을 효과적으로 낮출 수 있다.
웨이퍼 후면(wafer back side)을 폴리싱하는 1차 폴리싱 단계;상기 웨이퍼 후면에 존재하는 결함을 검출하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인지 판단하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인 경우 상기 웨이퍼 후면을 리폴리싱하는 2차 폴리싱 단계;로 이루어지는 지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.