초록

본 발명의 기술적 사상에 의한 웨이퍼의 연마 방법은, 웨이퍼 후면(wafer back side)을 폴리싱하는 1차 폴리싱 단계; 상기 웨이퍼 후면에 존재하는 결함을 검출하는 단계; 상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인지 판단하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인 경우 상기 웨이퍼 후면을 리폴리싱하는 2차 폴리싱 단계;로 이루어진다. 이에 따라 그라인딩 및 폴리싱 단계에 의해 발생하는 결함들이 허용 범위 내가 되도록 재가공될 수 있으므로, 웨이퍼 후면의 균일한 품질을 확보할 수 있어 웨이퍼의 불량률을 효과적으로 낮출 수 있다.

대표청구항

웨이퍼 후면(wafer back side)을 폴리싱하는 1차 폴리싱 단계;상기 웨이퍼 후면에 존재하는 결함을 검출하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인지 판단하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인 경우 상기 웨이퍼 후면을 리폴리싱하는 2차 폴리싱 단계;로 이루어지는 지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 방법.

웨이퍼 후면(wafer back side)을 폴리싱하는 1차 폴리싱 단계;상기 웨이퍼 후면에 존재하는 결함을 검출하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인지 판단하는 단계;상기 결함의 수준이 허용 범위 밖인 경우 상기 웨이퍼 후면을 리폴리싱하는 2차 폴리싱 단계;로 이루어지는 지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 방법.