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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0082918 (2014-07-03) | |
공개번호 | 10-2016-0007831 (2016-01-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140082918 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-07-03) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 자가 가습형 박막 양성자 전도성 SOFC 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 자가 가습형 박막 양성자 전도성 SOFC는 고배열도(well-arrayed)의 다공성 기판; 상기 다공성 기판의 상면 일부에 형성되는 제1 다공성 공기극층; 상기 제1 다공성 공기극층을 감싸도록 형성되는 제1 전해질층; 상기 제1 전해질층을 감싸도록 형성되는 다공성 연료극층; 상기 연료극층을 감싸도록 형성되는 제2 전해질층; 및 상기 제2 전해질층을 감싸거나 상기 제2 전해질층의 상면에 형성되는 제2 다공성 공기극층을 포함한다.본 발명에
고배열도(well-arrayed)의 다공성 기판; 상기 다공성 기판의 상면 일부에 형성되는 제1 다공성 공기극층; 상기 제1 다공성 공기극층을 감싸도록 형성되는 제1 전해질층; 상기 제1 전해질층을 감싸도록 형성되는 다공성 연료극층; 상기 다공성 연료극층을 감싸도록 형성되는 제2 전해질층; 및상기 제2 전해질층을 감싸거나 상기 제2 전해질층의 상면에 형성되는 제2 다공성 공기극층을 포함하는 자가 가습형 박막 양성자 전도성 SOFC.
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