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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0086575 (2014-07-10) |
등록번호 | 10-1464193-0000 (2014-11-17) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140086575 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-07-10) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 유기산주석을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로 설명하면, 종래의 유기산주석 제조방법의 경우, 불순문인 4가 주석의 농도가 높아서, 유기산주석을 이용하여 반도체 등의 초정밀 전자부품을 도금, 표면처리 등을 하는데 한계가 있었는데, 본 발명은 4가 주석의 농도를 낮춘 고순도의 유기산 주석을 우수한 경제성, 상업성으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
격막에 의해 양극부와 음극부로 분리된 전해조에 유기산 용액을 투입하는 제1단계;35 ~ 55℃ 하에서 유기산 용액 내 금속을 전기분해하는 제2단계; 양극부의 유기산 주석 함유 용액을 회수하여 카본 여과(carbon filtering)를 통해 필터링시키는 제3단계; 및필터링시킨 상기 유기산 주석 용액을 약전해(Electrolytic purification)를 수행한 후, 여과(re-filtering)를 수행하여 유기산주석을 얻는 제4단계;를 포함하며,상기 양극부 및 음극부는 전극으로서 주석판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고순도 유기
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