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저주파 플리커 잡음 감소를 위한 MOSFET 회로 및 상기 MOSFET 회로를 채용한 증폭기 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H03K-017/16
  • H03F-003/16
  • H03K-017/687
출원번호 10-2014-0089203 (2014-07-15)
공개번호 10-2016-0009194 (2016-01-26)
등록번호 10-1603883-0000 (2016-03-10)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140089203
발명자 / 주소
  • 양병도 / 충북 청주시 서원구 경신로 **, ***동 ****호 (개신동, 개신뜨란채아파트)
  • 우기찬 / 충북 청주시 흥덕구 풍년로 **, ***동 ***호 (가경동, 뜨란채*단지아파트)
출원인 / 주소
  • 충북대학교 산학협력단 / 충청북도 청주시 서원구 충대로 * (개신동)
대리인 / 주소
  • 추혁
심사청구여부 있음 (2014-07-15)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록 ▼

본 발명은 저주파 플리커 잡음 감소를 위한 MOSFET 회로 구조 및 상기 MOSFET 회로 구조를 채용한 증폭기에 관한 것으로서, 상기 MOSFET 회로 구조는 다수 개(N)의 MOSFET이 병렬로 연결된 MOSFET부; 및 상기 다수 개(N)의 MOSFET 중 어느 하나의 MOSFET은 턴오프(turn off)하고, N-1개의 MOSFET은 턴온(turn on)하는 스위치 제어부를 포함함으로써, 회로의 복잡성 및 추가 회로에 따른 전력 소모 없이 증폭기 회로의 동작을 유지시키면서 기존의 증폭기에서 발생하는 플리커 잡음을 최소화할

대표청구항

다수 개(N)의 MOSFET이 병렬로 연결된 MOSFET부; 및상기 다수 개(N)의 MOSFET에 대해 순차적인 스위칭을 수행하되, 어느 하나의 MOSFET이 턴오프(turn off) 상태이면, 나머지 N-1개의 MOSFET은 턴온(turn on) 상태를 유지시키는 스위치 제어부를 포함하는 MOSFET 회로.

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