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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0105774 (2014-08-14) | |
공개번호 | 10-2016-0021328 (2016-02-25) | |
등록번호 | 10-1683341-0000 (2016-11-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140105774 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-07-21) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
UV 센서 및 그 제조방법을 제공한다. UV 센서는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하되, 절연체 물질을 포함하는 절연체층, 상기 절연체층 상에 위치하되, 산화물 반도체를 포함하는 산화물 반도체층 및 상기 산화물 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 절연체층과 상기 산화물 반도체층 사이에서 정류특성을 갖고, UV 조사에 따른 제1 전극 및 제2 전극 사이의 광전류 변화를 이용한다. 따라서, 산화물 반도체와 절연체층 사이에 일어나는 정류 효과를 이용하여, UV 센서의 off-curr
기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하되, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 절연체층;상기 절연체층 상에 위치하되, a-IGZO를 포함하는 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 절연체층 및 산화물 반도체층은 100℃ 내지 250℃의 온도에서 열처리되고 상기 절연체층과 상기 산화물 반도체층 사이에서 정류특성을 가지며,상기 제2 전극에 양 전압이 인가되고 상기 제1 전극에 음 전압이 인가되는 경우, 상기 산화물 반도체층에 자외선(UV
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