초록

본 발명은 양극산화에 의한 광촉매 제조방법에 관한 것으로, 전해액이 담긴 양극산화 장치의 전극에 촉매 형상의 티타늄을 설치하는 단계; 및 상기 티타늄에 전압을 인가하여 티타늄의 표면에 이산화 티타늄 피막을 형성하는 단계를 포함하는 양극산화에 의한 광촉매 제조방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

H2SO4 1.3 내지 1.7 M, H2O2 0.1 내지 0.5 M 및 H3PO4 0.05 내지 0.3 M을 포함하는 전해액이 담긴 양극산화 장치의 전극에 촉매 형상의 티타늄을 설치하는 단계; 및10 내지 500 mA/㎠, -150 내지 200 V, 15 내지 30℃, 70 내지 180분의 처리조건에서 양극산화를 수행함으로써, 아나타제형 결정상을 포함하고 1±0.2 ㎛의 기공을 포함하는 이산화 티타늄 피막을 형성하는 단계를 포함하고,양극산화 시 티타늄에 정전압을 인가하는 공정과, 축적한 전하를 제거하기 위해 부전압을 인가하는 공정을

H2SO4 1.3 내지 1.7 M, H2O2 0.1 내지 0.5 M 및 H3PO4 0.05 내지 0.3 M을 포함하는 전해액이 담긴 양극산화 장치의 전극에 촉매 형상의 티타늄을 설치하는 단계; 및10 내지 500 mA/㎠, -150 내지 200 V, 15 내지 30℃, 70 내지 180분의 처리조건에서 양극산화를 수행함으로써, 아나타제형 결정상을 포함하고 1±0.2 ㎛의 기공을 포함하는 이산화 티타늄 피막을 형성하는 단계를 포함하고,양극산화 시 티타늄에 정전압을 인가하는 공정과, 축적한 전하를 제거하기 위해 부전압을 인가하는 공정을 반복하는 것을 특징으로 하는 광촉매 제조방법.