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폐실리콘 슬러지로부터 고순도 실리콘을 회수하는 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01B-033/039
  • B01J-019/10
  • C01B-033/02
출원번호 10-2014-0138784 (2014-10-15)
공개번호 10-2016-0044178 (2016-04-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140138784
발명자 / 주소
  • 정항철 / 경기도 용인시 처인구 양지면 용곡로**번길 *, ***호
  • 공만식 / 충청남도 아산시 문화로 *** 모종푸르지오아파트 ***동 ***호
  • 진연호 / 경기도 수원시 영통구 봉영로****번길 **, ***동 ****호 (영통동, 한국.신명아파트)
출원인 / 주소
  • 고등기술연구원연구조합 / 경기도 용인시 처인구 백암면 고안로**번길 ***-**
대리인 / 주소
  • 특허법인에이아이피
심사청구여부 있음 (2014-10-15)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 폐실리콘 슬러지로부터 고순도의 실리콘을 회수하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 폐실리콘 슬러지의 고형분을 액상에 분산시킨 다음, 상기 실리콘 고형분을 고순도화하고, 고액분리를 통해 고순도화된 실리콘 고형분을 수득하고 이를 건조시켜, 폐실리콘 슬러지로부터 고순도의 실리콘을 회수하는 방법에 관한 것이다.

대표청구항

폐실리콘 슬러지를 분산용매에 분산하여 폐실리콘 고형분을 침전시키는 제1 단계;상기 제1 단계를 거친 용액에 유기용매를 혼합하고, 반응 및 정제하여 상기 고형분을 고순도화하는 제2 단계;상기 제2 단계를 거친 용액을 고액분리하여 상기 고순도화된 고형분을 분리하는 제3 단계; 및상기 제3 단계에서 수득한 고형분을 건조하여 고순도 실리콘을 수득하는 제4 단계를 포함하는, 폐실리콘 슬러지로부터 고순도 실리콘을 회수하는 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법 | 장희동, 장한권, 길대섭
  2. [일본] METHOD FOR PRODUCING SILICON FROM WASTE SLUDGE | YAMADA KAZUYA, ISHIDA TOSHIO, FUKUDA TAKASHI

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 폐슬러지로부터 실리콘 분말을 고순도로 회수하는 방법 및 이 방법으로 회수한 실리콘 분말 | 오은석, 채영주
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