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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0148456 (2014-10-29) |
공개번호 | 10-2016-0050401 (2016-05-11) |
등록번호 | 10-1753366-0000 (2017-06-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140148456 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-09-15) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 개시는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 동작 방법에 관한 것으로서, 저항성 메모리 장치는 메모리 셀이 연결된 제1 신호 라인에 연결되고, 제1 기준 전류에 기초하여 상기 메모리 셀의 데이터를 센싱하는 센싱 회로; 및 상기 제1 기준 전류에 기초하여, 센싱 결과의 출력 시점을 결정하는 기준 시간 신호를 생성하는 기준 시간 생성기를 포함한다.
제1 신호 라인과 제2 신호 라인에 연결된 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 제1 신호 라인에 연결되고, 상기 제1 신호 라인에 흐르는 제1 기준 전류에 기초하여 상기 메모리 셀에 저장된 데이터를 센싱하는 센싱 회로; 및상기 제1 기준 전류에 기초하여, 상기 저장된 데이터가 센싱되는 시점을 결정하는 기준 시간 신호를 생성하는 기준 시간 생성기를 구비하고,상기 센싱 회로는, 상기 제1 신호 라인에 상기 제1 기준 전류를 제공하는 제1 전류원; 상기 제1 신호 라인에 연결되는 제1 커패시터; 및상기 기준 시간 신호에 응답하여
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