초록

본 개시는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 동작 방법에 관한 것으로서, 저항성 메모리 장치는 메모리 셀이 연결된 제1 신호 라인에 연결되고, 제1 기준 전류에 기초하여 상기 메모리 셀의 데이터를 센싱하는 센싱 회로; 및 상기 제1 기준 전류에 기초하여, 센싱 결과의 출력 시점을 결정하는 기준 시간 신호를 생성하는 기준 시간 생성기를 포함한다.

대표청구항 ▼

제1 신호 라인과 제2 신호 라인에 연결된 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 제1 신호 라인에 연결되고, 상기 제1 신호 라인에 흐르는 제1 기준 전류에 기초하여 상기 메모리 셀에 저장된 데이터를 센싱하는 센싱 회로; 및상기 제1 기준 전류에 기초하여, 상기 저장된 데이터가 센싱되는 시점을 결정하는 기준 시간 신호를 생성하는 기준 시간 생성기를 구비하고,상기 센싱 회로는, 상기 제1 신호 라인에 상기 제1 기준 전류를 제공하는 제1 전류원; 상기 제1 신호 라인에 연결되는 제1 커패시터; 및상기 기준 시간 신호에 응답하여

제1 신호 라인과 제2 신호 라인에 연결된 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 제1 신호 라인에 연결되고, 상기 제1 신호 라인에 흐르는 제1 기준 전류에 기초하여 상기 메모리 셀에 저장된 데이터를 센싱하는 센싱 회로; 및상기 제1 기준 전류에 기초하여, 상기 저장된 데이터가 센싱되는 시점을 결정하는 기준 시간 신호를 생성하는 기준 시간 생성기를 구비하고,상기 센싱 회로는, 상기 제1 신호 라인에 상기 제1 기준 전류를 제공하는 제1 전류원; 상기 제1 신호 라인에 연결되는 제1 커패시터; 및상기 기준 시간 신호에 응답하여, 제1 기준 전압과 상기 제1 신호 라인상의 전압을 비교하는 센스 엠프를 구비하고,상기 기준 시간 생성기는, 상기 제1 기준 전류에 기초하여 제2 기준 전류를 생성하는 제2 전류원;상기 제2 기준 전류에 의하여 충전되는 제2 커패시터; 및 제2 기준 전압과 상기 제2 커패시터의 전압을 비교하고, 대응하는 비교 결과를 상기 기준 시간 신호로서 제공하는 비교기를 구비하는 저항성 메모리 장치.