최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2014-0151855 (2014-11-04) | |
등록번호 | 10-1578542-0000 (2015-12-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140151855 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2014-11-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 마이크로폰 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 MEMS 공정에 의해 멤브레인과 백플레이트를 구성하고 멤브레인과 백플레이트에 각각 형성된 전극 사이의 정전 용량의 변화에 의해 음압을 측정하는 마이크로폰을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 마이크로폰 제조 방법은 백플레이트 및 멤브레인을 형성하는 공정을 개선하여 마이크로폰을 제조하는 공정을 비교적 단순화하고 제조 원가를 절감하는 효과가 있다.
멤브레인과 백플레이트 사이에 에어 갭이 배치되고 멤브레인에 형성된 제1전극과 백플레이트에 형성된 제2전극 사이의 정전용량을 감지하여 음향을 감지하는 마이크로폰의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 상기 기판의 표면을 노출시키는 복수의 콘택홀을 갖는 제1희생층을 형성하는 단계;(b) 상기 복수의 콘택홀을 통해 노출되는 기판의 상면과 상기 제1희생층의 상면에 언도프드-폴리 실리콘을 적층하여 제1실리콘층을 형성하는 단계;(c) 상기 제1실리콘층에 상기 제1전극을 형성하기 위하여 상기 제1전극의 영역을 도핑하여 도전성을 갖도록 하는 단계
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.