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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0160253 (2014-11-17) | |
공개번호 | 10-2015-0058038 (2015-05-28) | |
등록번호 | 10-2348574-0000 (2022-01-04) | |
우선권정보 | 미국(US) 14/085,262 (2013-11-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140160253 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-11-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
전기디포지션 이전에, TSV들과 같은 하나 이상의 리세스된 피처들을 갖는 반도체 웨이퍼가 버퍼 (예를 들어서, 붕산염 버퍼) 를 포함하며 약 7 내지 약 13의 pH를 갖는 사전웨팅 액체에 기판을 접촉시킴으로써 전처리된다.이 전처리는 NiB 및 NiP와 같은 산-민감성 니켈-함유 시드 층들을 갖는 웨이퍼들에 있어서 특히 유용하다.사전웨팅 액체는 웨이퍼 기판과 접촉되기 이전에 탈기되는 것이 바람직하다.전처리는 바람직하게는 리세스된 피처들 내에서 버블이 형성되지 않도록 대기압력보다 낮은 압력 하에서 수행된다.웨이퍼가 전처리된 후에, 구
하나 이상의 리세스된 (recessed) 피처들을 포함하는 웨이퍼 기판 상에 금속을 전기도금하는 방법으로서, (a) 웨이퍼 기판의 표면의 적어도 일부 상에 노출된 시드 (seed) 층을 갖는 상기 웨이퍼 기판을 제공하는 단계; (b) 사전-웨팅 액체가 상기 웨이퍼 기판 상의 상기 시드 층을 사전-웨팅하도록 상기 웨이퍼 기판을 상기 사전-웨팅 액체와 접촉시키는 단계로서, 상기 사전-웨팅 액체는 버퍼 (buffer) 를 포함하며 7 내지 13의 pH를 갖고, 상기 웨이퍼 기판은 상기 사전-웨팅 이후 상기 버퍼-함유 사전-웨팅 액체를 보
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