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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0178432 (2014-12-11) | |
공개번호 | 10-2016-0071535 (2016-06-22) | |
등록번호 | 10-1664824-0000 (2016-10-05) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140178432 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-12-11) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 Ga: 15~25 중량%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 CuGa 분말을 200~320℃의 온도에서 1~24시간 동안 열처리 하는 단계; 및 상기 CuGa 분말을 기판에 저온분사하여 CuGa 타겟을 형성하는 단계를 포함하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법을 제공한다.
Ga: 15~25 중량%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 CuGa 분말을 200~320℃의 온도에서 1~24시간 동안 열처리 하는 단계; 및상기 CuGa 분말을 기판에 저온분사하여 CuGa 타겟을 형성하는 단계를 포함하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법.
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