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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2014-0182862 (2014-12-18) | |
| 공개번호 | 10-2016-0074073 (2016-06-28) | |
| 등록번호 | 10-1667856-0000 (2016-10-13) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020140182862 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2014-12-18) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 소멸 |
일 실시예에 따른 프로브 팁 제조 방법은, 실리콘 재질을 포함하는 상판 및 하판, 및 상기 상판 및 하판 사이에 접하도록 마련되는 산화막 판을 포함하는 SOI(silicon-on-insulator) 기판을 제공하는 단계; 상기 SOI 기판의 상면과 하면 각각에 1차 보호막을 증착하는 단계; 상기 상면에 증착된 1차 보호막에서 프로브 팁의 기둥 부분을 남기고 상기 상면에 증착된 1차 보호막을 제거하는 단계; 상기 하면에 증착된 1차 보호막에서 지지부 부분만 남기고 상기 하면에 증착된 1차 보호막을 제거하는 단계; 상기 하면의 상기 1
실리콘 재질을 포함하는 상판 및 하판, 및 상기 상판 및 하판 사이에 접하도록 마련되는 산화막 판을 포함하는 SOI(silicon-on-insulator) 기판을 제공하는 단계;상기 SOI 기판의 상면과 하면 각각에 1차 보호막을 증착하는 단계;상기 상면에 증착된 1차 보호막에서 프로브 팁의 기둥 부분을 남기고 상기 상면에 증착된 1차 보호막을 제거하는 단계;상기 하면에 증착된 1차 보호막에서 지지부 부분만 남기고 상기 하면에 증착된 1차 보호막을 제거하는 단계;상기 하면의 상기 1차 보호막이 제거된 부분의 하판을 산화막 판까지 식
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