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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0183000 (2014-12-18) | |
공개번호 | 10-2016-0040409 (2016-04-14) | |
등록번호 | 10-1657802-0000 (2016-09-08) | |
우선권정보 | 미국(US) 14/505,631 (2014-10-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140183000 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-12-18) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
반도체 구조를 제공한다. 이 반도체 구조는 기판, 기판 위의 제 1 나노와이어, 및 기판 위에 제 1 나노와이어에 대해 대칭적인 제 2 나노와이어를 포함한다.
기판을 제공하는 단계;상기 기판 위에 희생 물질(sacrificial material)을 제공하는 단계;돌출부(protrusion)를 제공하기 위해 상기 희생 물질을 식각하는 단계;상기 희생 물질에 대해 대칭적인 나노와이어 물질을 제공하는 단계; 및상기 나노와이어 물질로 제조된 두 개의 대칭적인 나노와이어들을 제공하기 위해 상기 희생 물질을 제거하는 단계를 포함하는. 나노와이어를 형성하는 방법.
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