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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-7004752 (2014-02-24) | |
공개번호 | 10-2014-0072027 (2014-06-12) | |
우선권정보 | 프랑스(FR) 1158179 (2011-09-14) | |
국제출원번호 | PCT/FR2012/051843 (2012-08-03) | |
국제공개번호 | WO 2013/038083 (2013-03-21) | |
번역문제출일자 | 2014-02-24 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020147004752 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(등록결정전 취하서제출) | |
법적상태 | 취하 |
반도체층(5)에 의해 부분적으로 덮인 두 개의 전극(3, 4)을 갖는 하부 기판(2) 및 상부에 증착되고, 압전 물질로 형성되며, 반도체 물질이 압전 물질 및 두 개의 전극(3, 4)과 접촉하는 방식으로, 반도체층(5)과 접촉하는 압전층(9)을 포함하는 압력 센서(1)가 개시된다.전극(3, 4)은 전압원, 또는 전극(3, 4) 사이의 반도체층(5) 내에서 전하의 변위에 의해 생성된 전류의 세기를 측정하기 위한 장치와 연결되도록 구성되며, 상기 전하는 압전층(9)에 압력이 가해질 때 생성된다.
압전 물질을 포함하는 압력 센서(1)에 있어서, 상기 압력 센서(1)는,상부에 증착된, 반도체 물질로 형성되는 반도체 층(5)에 의해 부분적으로 덮인 두 개의 전극(3, 4)을 갖는 적어도 하나의 하부 기판(2), 및 압전 물질로 형성되고, 반도체 물질이 압전 물질 및 두 개의 전극(3, 4)과 접촉하는 방식으로, 반도체층(5)과 접촉하는 압전층(9)을 포함하고, 상기 압전층은 전극과 체계적으로 접촉하고, 상기 전극(3, 4)은 전압원, 또는 전극(3, 4) 사이의 반도체층(5) 내에서 전하(10)의 변위에 의해 생성된 전류의 세기
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