최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2014-7013202 (2014-05-16) | |
공개번호 | 10-2014-0088155 (2014-07-09) | |
등록번호 | 10-1590280-0000 (2016-01-25) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2011-252182 (2011-11-18) | |
국제출원번호 | PCT/JP2012/077326 (2012-10-23) | |
국제공개번호 | WO 2013/073347 (2013-05-23) | |
번역문제출일자 | 2014-05-16 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020147013202 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2014-05-16) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명의 강유전체 게이트 박막 트랜지스터(20)는 채널층(28)과, 채널층(28)의 도통 상태를 제어하는 게이트 전극층(22)과, 채널층(28)과 게이트 전극층(22) 사이에 배치된 강유전체층을 포함하는 게이트 절연층(25)을 구비하는 강유전체 게이트 박막 트랜지스터이며, 게이트 절연층(강유전체층)(25)은, PZT층(23)과, BLT층(24)(Pb 확산 방지층)이 적층된 구조를 갖고, 채널층(산화물 도전체층)(28)은, 게이트 절연층(강유전체층)(25)에 있어서의 BLT층(Pb 확산 방지층)(24) 측의 면에 배치되어 있다.본
삭제
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.