초록 ▼

본 발명의 강유전체 게이트 박막 트랜지스터(20)는 채널층(28)과, 채널층(28)의 도통 상태를 제어하는 게이트 전극층(22)과, 채널층(28)과 게이트 전극층(22) 사이에 배치된 강유전체층을 포함하는 게이트 절연층(25)을 구비하는 강유전체 게이트 박막 트랜지스터이며, 게이트 절연층(강유전체층)(25)은, PZT층(23)과, BLT층(24)(Pb 확산 방지층)이 적층된 구조를 갖고, 채널층(산화물 도전체층)(28)은, 게이트 절연층(강유전체층)(25)에 있어서의 BLT층(Pb 확산 방지층)(24) 측의 면에 배치되어 있다.본

본 발명의 강유전체 게이트 박막 트랜지스터(20)는 채널층(28)과, 채널층(28)의 도통 상태를 제어하는 게이트 전극층(22)과, 채널층(28)과 게이트 전극층(22) 사이에 배치된 강유전체층을 포함하는 게이트 절연층(25)을 구비하는 강유전체 게이트 박막 트랜지스터이며, 게이트 절연층(강유전체층)(25)은, PZT층(23)과, BLT층(24)(Pb 확산 방지층)이 적층된 구조를 갖고, 채널층(산화물 도전체층)(28)은, 게이트 절연층(강유전체층)(25)에 있어서의 BLT층(Pb 확산 방지층)(24) 측의 면에 배치되어 있다.본 발명의 강유전체 게이트 박막 트랜지스터(20)에 의하면, 강유전체 게이트 박막 트랜지스터의 전달 특성이 열화되기 쉽다(예를 들어 메모리 윈도우의 폭이 좁아지기 쉽다)고 하는 문제를 비롯하여, PZT층에서 산화물 도전체층으로 Pb 원자가 확산하는 것에 기인하여 발생하는 경우가 있는 각종 문제를 해결할 수 있다.

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