초록 ▼

본 발명의 목적은 높은 기계적 강도 및 열전도율을 갖는 질화규소 소결체 및 그것을 이용한 회로 기판을 제공하는 것이다. 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 연속 소성로에 의해 유동시키면서 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로 가열하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말의 제조 방법을 제공한다. 또한, 입자 표면으로부터 입자 표면 바로 아래 3 ㎚까지 존재하는 산소의 함유 비율을 FSO(질량%)라고

본 발명의 목적은 높은 기계적 강도 및 열전도율을 갖는 질화규소 소결체 및 그것을 이용한 회로 기판을 제공하는 것이다. 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 연속 소성로에 의해 유동시키면서 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로 가열하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말의 제조 방법을 제공한다. 또한, 입자 표면으로부터 입자 표면 바로 아래 3 ㎚까지 존재하는 산소의 함유 비율을 FSO(질량%)라고 하고, 입자 표면 바로 아래 3 ㎚로부터 내측에 존재하는 산소의 함유 비율을 FIO(질량%)라고 하며, 비표면적을 FS(㎡/g)라고 한 경우에, FS/FSO가 8∼25이고, FS/FIO가 22 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 분말, 상기 질화규소 분말을 소결하여 얻어지는 질화규소 소결체, 및 상기 질화규소 소결체를 이용한 회로 기판을 제공한다.

대표청구항 ▼

비표면적이 400 ㎡/g∼1200 ㎡/g인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을, 연속 소성로에 의해 유동시키면서, 질소 함유 불활성 가스 분위기 하 또는 질소 함유 환원성 가스 분위기 하, 1400℃∼1700℃의 온도에서 소성하는 질화규소 분말의 제조 방법으로서, 상기 비정질 Si-N(-H)계 화합물의 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상이고,상기 소성시에, 상기 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로

비표면적이 400 ㎡/g∼1200 ㎡/g인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을, 연속 소성로에 의해 유동시키면서, 질소 함유 불활성 가스 분위기 하 또는 질소 함유 환원성 가스 분위기 하, 1400℃∼1700℃의 온도에서 소성하는 질화규소 분말의 제조 방법으로서, 상기 비정질 Si-N(-H)계 화합물의 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상이고,상기 소성시에, 상기 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로 가열하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말의 제조 방법.