초록 ▼

본 발명은 탄소 코팅된 구리 나노입자를 이용한 이중 저온-소결에 의한 고전도성 금속 막 또는 패턴 형성의 신규한 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 저온-소결 과정은 산화 과정과 환원 과정의 이중 단계로 실시되며, 보다 구체적으로는 5분 내지 30분 동안의 산화 과정과 5분 내지 30분 동안의 환원 과정으로 이루어진다.상기 이중 저온-소결 과정을 통해 제조된 본 발명의 금속 막 또는 패턴은 상기 구리 나노입자의 넥 형성과 성장을 통해 낮은 전기저항 값을 가짐에 따라 고전도성 특징을 나타낸다.따라서, 본 발명은 구리 나노입자 잉크/페이

본 발명은 탄소 코팅된 구리 나노입자를 이용한 이중 저온-소결에 의한 고전도성 금속 막 또는 패턴 형성의 신규한 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 저온-소결 과정은 산화 과정과 환원 과정의 이중 단계로 실시되며, 보다 구체적으로는 5분 내지 30분 동안의 산화 과정과 5분 내지 30분 동안의 환원 과정으로 이루어진다.상기 이중 저온-소결 과정을 통해 제조된 본 발명의 금속 막 또는 패턴은 상기 구리 나노입자의 넥 형성과 성장을 통해 낮은 전기저항 값을 가짐에 따라 고전도성 특징을 나타낸다.따라서, 본 발명은 구리 나노입자 잉크/페이스트를 이용하여 기판, 보다 구체적으로는 유연기판에 고전도성 금속 막 또는 패턴을 형성시킬 수 있을 뿐 아니라, 종래에 이용되는 폴리머 물질에 비해 훨씬 좋은 전기적 특성을 나타내기 때문에 산업적으로 유용하게 적용될 수 있다.

대표청구항 ▼

다음의 단계를 포함하는 고전도성 금속 막(metallic films) 또는 패턴(patterns)의 저온-소결 제조방법:(a) 탄소 코팅된 금속 나노입자와 용매를 혼합시키는 단계;(b) 상기 혼합물을 이용하여 기판 위에 전도성 막을 도포시키는 단계;(c) 산화 분위기에서 5분 내지 10분 동안 200℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 상기 단계 (b)의 탄소 코팅된 금속 나노입자를 소결시키는 단계; 및(d) 수소(H2)가 포함된 혼합 가스의 환원 분위기에서 5분 내지 30분 동안 200℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 상기 단계 (c

다음의 단계를 포함하는 고전도성 금속 막(metallic films) 또는 패턴(patterns)의 저온-소결 제조방법:(a) 탄소 코팅된 금속 나노입자와 용매를 혼합시키는 단계;(b) 상기 혼합물을 이용하여 기판 위에 전도성 막을 도포시키는 단계;(c) 산화 분위기에서 5분 내지 10분 동안 200℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 상기 단계 (b)의 탄소 코팅된 금속 나노입자를 소결시키는 단계; 및(d) 수소(H2)가 포함된 혼합 가스의 환원 분위기에서 5분 내지 30분 동안 200℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 상기 단계 (c)의 금속 나노입자를 소결시키는 단계.