다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
|---|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
|
|
| 출원번호 | 10-2015-0080611 (2015-06-08) | |
| 공개번호 | 10-2016-0144541 (2016-12-19) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020150080611 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
|
|
| 대리인 / 주소 |
|
|
| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명은 삼염화실란의 제조방법에 관한 것으로서, 금속성 실리콘 반응층 및 촉매를 포함하는 반응기에 사염화규소 및 수소를 공급하여 삼염화실란을 제조하는 단계와 반응기에서 상기 금속성 실리콘 반응층의 총 높이의 70% 높이인 지점 또는 그보다 위쪽의 영역에 염소, 염화수소 또는 이들의 혼합물을 공급하고 반응기 반응층 상부의 반응조건을 조절하여 삼염화실란을 제조하는 단계를 동시에 수행함으로써 삼염화실란의 전환율을 향상시켜 공정의 경제성 및 효율성을 향상시킬 수 있는 삼염화실란의 제조방법에 관한 것이다.
금속성 실리콘 반응층 및 촉매를 반응기에 충진하는 제1단계;상기 반응기에 사염화규소 및 수소를 공급하여 삼염화실란을 제조하는 제2단계; 및반응기에서 상기 금속성 실리콘 반응층의 총 높이의 70% 높이인 지점 또는 그보다 위쪽의 영역에 염소, 염화수소 또는 이들의 혼합물을 공급하여 삼염화실란을 제조하는 제3단계를 포함하는 삼염화실란의 제조방법.
해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.