최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2015-0110565 (2015-08-05) | |
공개번호 | 10-2017-0018129 (2017-02-16) | |
등록번호 | 10-1787826-0000 (2017-10-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150110565 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2015-08-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 그래핀 양자점 생성 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 그래핀 양자점 생성 방법은 그래핀 옥사이드를 수열처리(hydrothermal teatment)하여 생성된 그래핀 하이드로겔(graphene hydrogel)을 유기 용매에 넣어 그래핀 양자점(graphene quantum dots)을 생성할 수 있어서, 원심분리, 여과 및 투석 등과 같은 긴 시간이 걸리는 후처리 공정 없이 그래핀 양자점을 생성시킬 수 있다.
그래핀 옥사이드(graphene oxide) 수용액을 제조하는 단계;상기 그래핀 옥사이드 수용액을 수열처리(hydrothermal treatment)하여 그래핀 하이드로겔(graphene hydrogel) 및 상기 그래핀 하이드로겔에 흡착된 그래핀 양자점(graphene quantum dots)을 생성시키는 단계; 및상기 그래핀 하이드로겔을 유기 용매에 넣어 상기 그래핀 하이드로겔의 표면에 적층된 그래핀 양자점을 분리시키는 단계를 포함하는 그래핀 양자점 생성 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.