정구진
/ 경기도 성남시 분당구 내정로***번길 **, ***동 ****호 (수내동, 파크타운삼익아파트)
출원인 / 주소
전자부품연구원 / 경기도 성남시 분당구 새나리로 ** (야탑동)
대리인 / 주소
김태선
심사진행상태
취하(심사미청구)
법적상태
취하
초록▼
본 발명은 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 산화막 형성을 저해, 제거할 수 있는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극에 관한 것이다. 본 발명에 의한 마그네슘 전지 음극 표면 처리제는 마그네슘 전지의 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 산화막 형성을 효과적으로 저해
본 발명은 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 산화막 형성을 저해, 제거할 수 있는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 조성물, 이를 이용한 마그네슘 전지 음극 표면 처리 방법 및 이에 의하여 표면 처리된 마그네슘 전지 음극에 관한 것이다. 본 발명에 의한 마그네슘 전지 음극 표면 처리제는 마그네슘 전지의 음극 표면에 형성되는 산화마그네슘 산화막 형성을 효과적으로 저해, 제거하여 마그네슘의 증착/용출의 가역성을 높여 이러한 마그네슘 전지 음극 표면 처리제에 의하여 표면 처리된 음극를 포함하는 마그네슘 전지는 수명 특성 및 충방전 특성이 개선될 수 있다.
대표청구항▼
아래 화학식 1로 표시되는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물. [화학식 1] L1xM1 ·L2yM2 (상기 화학식 1 에서 L1xM1 와 L2yM2 는 고상 혼합된 상태이고, L1 는 TFSI-, PF6, BF4, SR, B(OR)4, OH-, CH3COO-, (CN)3C-, (CN)4B-, (CN)2N-, CF3COO-, CF3SO3, ClO4, FSI, N(CN)2, 및 OR (R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 alkane, alkene, 또는 alkyne임),로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상L2는
아래 화학식 1로 표시되는 마그네슘 전지 음극 표면 처리용 화합물. [화학식 1] L1xM1 ·L2yM2 (상기 화학식 1 에서 L1xM1 와 L2yM2 는 고상 혼합된 상태이고, L1 는 TFSI-, PF6, BF4, SR, B(OR)4, OH-, CH3COO-, (CN)3C-, (CN)4B-, (CN)2N-, CF3COO-, CF3SO3, ClO4, FSI, N(CN)2, 및 OR (R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 alkane, alkene, 또는 alkyne임),로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상L2는 F, Cl, Br, 및 I 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상, M1, M2 는 3족, 4족, 및 5족 원소 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상임)
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