초록 ▼

실리콘 질화물 막들을 형성하기 위한 전구체들과 방법들이 제공된다.일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물은 플라스마 강화 ALD와 같은 원자층 증착(ALD)에 의하여 퇴적될 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 퇴적된 실리콘 질화물은 플라스마 처리에 의하여 처리될 수 있다.상기 플라스마 처리는 질소 플라스마 처리일 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물을 퇴적시키기 위한 실리콘 전구체들은 요오드 리간드를 포함한다.상기 실리콘 질화물막들은 FinFET들 또는 다른 종류의 다중 게이트 FET들과 같은 3차원 구조물들 위에 퇴적되었을

실리콘 질화물 막들을 형성하기 위한 전구체들과 방법들이 제공된다.일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물은 플라스마 강화 ALD와 같은 원자층 증착(ALD)에 의하여 퇴적될 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 퇴적된 실리콘 질화물은 플라스마 처리에 의하여 처리될 수 있다.상기 플라스마 처리는 질소 플라스마 처리일 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물을 퇴적시키기 위한 실리콘 전구체들은 요오드 리간드를 포함한다.상기 실리콘 질화물막들은 FinFET들 또는 다른 종류의 다중 게이트 FET들과 같은 3차원 구조물들 위에 퇴적되었을 때, 수직부와 수평부 모두 비교적 균일한 식각 속도를 가질 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 본 개시의 다양한 실리콘 질화물 막들은 희석된 HF(0.5%)로 열산화물의 제거 속도의 절반 미만의 식각 속도를 갖는다.일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물 막들을 퇴적시키기 위한 방법은 다단계 플라스마 처리를 포함한다.

대표청구항 ▼

반응 공간 내의 기판의 표면 상에 SiN 박막을 형성하는 방법으로서,상기 기판의 상기 표면 상에 흡착된 제1 실리콘 종들을 제공하기 위해, 상기 기판을 SiI2H2를 포함하는 실리콘 전구체와 접촉시키는 단계;상기 표면 상에 흡착된 상기 제1 실리콘 종들을 포함하는 상기 기판을 활성화된 수소 종들을 포함하는 제1 플라즈마와 접촉시켜서 상기 기판 상에 SiN을 형성하는 단계; 및SiN을 포함하는 상기 기판을 질소 및 비활성 가스를 포함하는 가스로부터 형성된 제2 플라즈마와 접촉시키는 단계로서, 상기 제2 플라즈마는 수소-함유 종들이 실

반응 공간 내의 기판의 표면 상에 SiN 박막을 형성하는 방법으로서,상기 기판의 상기 표면 상에 흡착된 제1 실리콘 종들을 제공하기 위해, 상기 기판을 SiI2H2를 포함하는 실리콘 전구체와 접촉시키는 단계;상기 표면 상에 흡착된 상기 제1 실리콘 종들을 포함하는 상기 기판을 활성화된 수소 종들을 포함하는 제1 플라즈마와 접촉시켜서 상기 기판 상에 SiN을 형성하는 단계; 및SiN을 포함하는 상기 기판을 질소 및 비활성 가스를 포함하는 가스로부터 형성된 제2 플라즈마와 접촉시키는 단계로서, 상기 제2 플라즈마는 수소-함유 종들이 실질적으로 없는, 상기 제2 플라즈마와 접촉시키는 단계;를 포함하는 SiN 박막을 형성하는 방법.