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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0138421 (2015-10-01) | |
등록번호 | 10-1719248-0000 (2017-03-17) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150138421 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-10-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이온성 고분자를 이용하여 방사선 조사를 통해 얻어지는 이온성 고분자 막을 제공한다. 본 발명에 따른 이온성 고분자 막은 가공성이 좋고 제조단가 저렴하면서 높은 이온교환능 및 높은 내구성을 갖는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 이온성 고분자 막의 제조방법은 높은 이온교환능을 갖으면서 높은 치수안전성을 갖는 3 차원 네트워크 구조화된 이온성 고분자 막 제조가 가능할 뿐만 아니라, 상용화된 값싼 이온성 고분자를 활용하기 때문에 매우 위험한 다단계 공정을 통한 이온성 교환 도입 과정이
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이온성 고분자에 방사선을 조사하여 얻어지는 3차원 네트워크 구조를 갖는 이온성 고분자 막:<화학식 1>(상기 화학식 1에서,R1은 수소 또는 C1-6의 직쇄 알킬 또는 C3-6의 분지쇄 알킬이고,반복단위 a는 500 내지 5500이고,반복단위 b는 10 내지 1500이다.).
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