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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0150277 (2015-10-28) | |
공개번호 | 10-2016-0050002 (2016-05-10) | |
등록번호 | 10-1802952-0000 (2017-11-23) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020140147735 (2014-10-28) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150150277 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-10-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 따른 투명 전도체의 제조방법은 a) 기재상 투명 고분자층과 전도성 네트워크가 순차적으로 적층된 적층체를 제조하는 단계; 및 b) 상기 적층체에 에너지를 인가하여, 상기 전도성 네트워크를 투명 고분자층으로 가라앉히는(sink) 단계;를 포함한다.
a) 기재상 투명 고분자층과 전도성 네트워크가 순차적으로 적층된 적층체를 제조하는 단계;b) 상기 적층체에 에너지를 인가하여, 상기 적층체의 투명 고분자층의 투명 고분자를 유리전이온도 이상 및 용융 온도 미만의 온도로 가열함으로써, 상기 전도성 네트워크를 투명 고분자층으로 가라앉히는(sink) 단계;를 포함하는 투명 전도체의 제조방법.
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