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전기적 특성이 우수한 ITO 투명도전막의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09D-011/52
  • C23C-018/12
  • H01B-013/00
  • H01B-005/14
출원번호 10-2015-0153214 (2015-11-02)
공개번호 10-2017-0051833 (2017-05-12)
등록번호 10-1776610-0000 (2017-09-04)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150153214
발명자 / 주소
  • 안효진 / 서울특별시 노원구 노원로 **길 **-** 한신코아빌라 *동 ***
  • 구본율 / 경기도 오산시 대원로 ** ***동 ***호 (원동,운암주공*단지아파트)
  • 오동현 / 충청북도 청주시 서원구 성봉로 ***번길 ** (현대아파트, 개신동) ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 서울과학기술대학교 산학협력단 / 서울특별시 노원구 공릉로 *** (공릉동, 서울과학기술대학교)
대리인 / 주소
  • 특허법인 대아
심사청구여부 있음 (2015-11-02)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

투과율 및 전기적 특성이 우수한 ITO 투명도전막의 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 ITO 투명도전막의 제조 방법은 (a) 인듐(Indium, In) 전구체와 주석(Tin, Sn) 전구체를 제1용매에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계; (b) 상기 제1용액에 pH 8~10을 갖는 제2용액을 첨가하여 인듐 및 주석을 포함하는 수산화물을 형성하는 단계; (c) 상기 수산화물을 건조시킨 후, 제1마이크로웨이브 어닐링(microwave annealing)하여 ITO(Indium Tin Oxid

대표청구항

(a) 인듐(Indium, In) 전구체와 주석(Tin, Sn) 전구체를 제1용매에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계;(b) 상기 제1용액에 pH 8~10을 갖는 제2용액을 첨가하여 인듐 및 주석을 포함하는 수산화물을 형성하는 단계; (c) 상기 수산화물을 건조시킨 후, 600~800℃에서 제1마이크로웨이브 어닐링(microwave annealing)하여 ITO(Indium Tin Oxide) 나노입자를 형성하는 단계;(d) 인듐 전구체와 주석 전구체를 제2용매에 용해시켜 ITO sol을 형성하는 단계;(e) 상기 ITO 나노입자와

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] FORMATION OF TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE MATERIAL | TOKI MOTOYUKI
  2. [일본] METHOD FOR PRODUCING TIN-DOPED INDIUM OXYHYDROXIDE PARTICLES | SAKAGAMI TAKAHIKO, KAWARATANI KOICHI, HAYASHI HISAO, MURAMATSU JUNJI, KANIE KIYOSHI
  3. [일본] ITO POWDER, METHOD FOR PRODUCING ITO PARTICLE, COATING MATERIAL FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE MATERIAL, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM | MURAMATSU JUNJI, KANIE KIYOSHI, SASAKI TAKASHI, NAGATOMI AKIRA, TAGAMI KOJI, NAKAMURA RYOICHI
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