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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0153214 (2015-11-02) | |
공개번호 | 10-2017-0051833 (2017-05-12) | |
등록번호 | 10-1776610-0000 (2017-09-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150153214 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-11-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
투과율 및 전기적 특성이 우수한 ITO 투명도전막의 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 ITO 투명도전막의 제조 방법은 (a) 인듐(Indium, In) 전구체와 주석(Tin, Sn) 전구체를 제1용매에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계; (b) 상기 제1용액에 pH 8~10을 갖는 제2용액을 첨가하여 인듐 및 주석을 포함하는 수산화물을 형성하는 단계; (c) 상기 수산화물을 건조시킨 후, 제1마이크로웨이브 어닐링(microwave annealing)하여 ITO(Indium Tin Oxid
(a) 인듐(Indium, In) 전구체와 주석(Tin, Sn) 전구체를 제1용매에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계;(b) 상기 제1용액에 pH 8~10을 갖는 제2용액을 첨가하여 인듐 및 주석을 포함하는 수산화물을 형성하는 단계; (c) 상기 수산화물을 건조시킨 후, 600~800℃에서 제1마이크로웨이브 어닐링(microwave annealing)하여 ITO(Indium Tin Oxide) 나노입자를 형성하는 단계;(d) 인듐 전구체와 주석 전구체를 제2용매에 용해시켜 ITO sol을 형성하는 단계;(e) 상기 ITO 나노입자와
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