초록 ▼

본 발명은 슈퍼커패시터의 효율을 향상시키기 위하여 층간 간격이 넓어진 환원 그래핀 산화물의 제조방법에 관한 것으로, 흑연 산화물을 준비하는 단계; 상기 흑연 산화물을 동결 건조하는 단계; 동결 건조된 흑연 산화물에 대하여 초음파 처리를 수행하는 단계; 초음파 처리된 흑연 산화물을 하이드라진으로 환원하여 환원 그래핀 산화물을 형성하는 단계; 및상기 환원 그래핀 산화물을 가열하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은, 흑연 산화물을 동결건조하고 초음파 처리한 뒤에 화학적으로 환원하고 환원된 뒤에는 열처리를 수행함으로써,

본 발명은 슈퍼커패시터의 효율을 향상시키기 위하여 층간 간격이 넓어진 환원 그래핀 산화물의 제조방법에 관한 것으로, 흑연 산화물을 준비하는 단계; 상기 흑연 산화물을 동결 건조하는 단계; 동결 건조된 흑연 산화물에 대하여 초음파 처리를 수행하는 단계; 초음파 처리된 흑연 산화물을 하이드라진으로 환원하여 환원 그래핀 산화물을 형성하는 단계; 및상기 환원 그래핀 산화물을 가열하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은, 흑연 산화물을 동결건조하고 초음파 처리한 뒤에 화학적으로 환원하고 환원된 뒤에는 열처리를 수행함으로써, 층간 간격이 넓어진 환원 그래핀 산화물을 제조할 수 있는 효과가 있다.또한, 공정비용이 저렴한 화학적 환원 공정을 적용하면서도 층간 간격이 넓은 환원 그래핀 산화물을 제조할 수 있는 제조공정으로 그래핀 산화물을 제조하여 활물질로 사용함으로써, 공정비용 대비 효율이 크게 향상된 슈퍼커패시터를 제공할 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

흑연 산화물을 준비하는 단계;상기 흑연 산화물을 -55℃이하의 온도에서 48시간이상 동안 동결 건조하는 단계;동결 건조된 흑연 산화물에 대하여 초음파 처리를 수행하는 단계;초음파 처리된 흑연 산화물을 하이드라진으로 환원하여 환원 그래핀 산화물을 형성하는 단계; 및 상기 환원 그래핀 산화물에 대하여 270~290℃의 온도범위에서 수행되는 1단계 열처리와 490~510℃의 온도범위에서 수행되는 2단계 열처리를 순차적으로 수행하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 산화물 제조방법.

흑연 산화물을 준비하는 단계;상기 흑연 산화물을 -55℃이하의 온도에서 48시간이상 동안 동결 건조하는 단계;동결 건조된 흑연 산화물에 대하여 초음파 처리를 수행하는 단계;초음파 처리된 흑연 산화물을 하이드라진으로 환원하여 환원 그래핀 산화물을 형성하는 단계; 및 상기 환원 그래핀 산화물에 대하여 270~290℃의 온도범위에서 수행되는 1단계 열처리와 490~510℃의 온도범위에서 수행되는 2단계 열처리를 순차적으로 수행하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 산화물 제조방법.