선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2015-0158243 (2015-11-11) | |
공개번호 | 10-2016-0056830 (2016-05-20) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020140157320 (2014-11-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150158243 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 전극 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전극 패턴의 형성 방법은, 미세 전극 패터닝을 요구하는 다양한 디바이스에 적용가능하며, 특히, 터치스크린 패널(touch screen panel, TSP)에 구비되는 터치 센서를 형성하는 데에 유용하게 적용할 수 있다.
기재 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴의 음각부를 도전성 페이스트로 채우는 단계; 및상기 도전성 페이스트를 경화하는 단계를 포함하는 전극 패턴의 형성 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.