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연합인증

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원자층 증착용(ALD) 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 ALD 증착법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C07F-007/02
  • C07F-007/10
  • C07F-007/22
  • C07F-007/30
  • C23C-016/18
  • C23C-016/455
  • H01L-021/02
  • H01L-021/205
  • H01L-021/28
출원번호 10-2015-0164082 (2015-11-23)
공개번호 10-2017-0059742 (2017-05-31)
등록번호 10-1787204-0000 (2017-10-11)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150164082
발명자 / 주소
  • 박정우 / 서울특별시 송파구 올림픽로 *** , ***동 ***호 (잠실동, 잠실주공아파트*단지)
  • 임민혁 / 전라북도 전주시 덕진구 반월로 **, ***동 ***호 (반월동, 월드컵이지움)
  • 박종률 / 인천광역시 서구 봉오대로***번길 *, *동 ****호 (가정동, 뉴서울아파트)
  • 염보라 / 전라북도 전주시 완산구 새터로 **-*, ***동 ***호 (서신동, 광진장미아파트)
출원인 / 주소
  • 주식회사 한솔케미칼 / 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, *층,*층(삼성동, 케이타워)
대리인 / 주소
  • 한양특허법인
심사청구여부 있음 (2015-11-23)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명은 유기금속 전구체 화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 통하여 박막 증착이 가능한 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 ALD 증착법에 관한 것이다. 

대표청구항

하기 화학식 1로서 표시되는 원자층 증착(ALD) 전구체:[화학식 1]상기 화학식 1에서, M은 Si, Ge 및 Sn 중에서 선택된 어느 하나이고, R은 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이다(단, R이 tert-부틸기(tBu)인 경우를 제외함).

발명자의 다른 특허 :

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