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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2015-0173561 (2015-12-07) | |
| 공개번호 | 10-2017-0067235 (2017-06-16) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020150173561 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
| 법적상태 | 거절 |
전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 원료 분말로 하여, Si 분말의 평균입자크기(d50)가 1~2 마이크로미터 범위에 있도록 밀링하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450℃에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850℃ 이상의 온도에서 후소결하여 반응소결 질화규소 소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면,
Si 분말을 원료 분말로 하여, Si 분말의 평균입자크기(d50)가 1~2 마이크로미터 범위에 있도록 밀링하는 단계;상기 성형체를 1350~1450℃에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및상기 반응결합 질화규소를 1850℃ 이상의 온도에서 후소결하여 반응소결 질화규소 소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결 질화규소 소결체의 제조 방법.
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