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[한국특허] 화학 증착 장치 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/205
  • C23C-016/455
  • H01L-021/02
  • H01L-021/683
출원번호 10-2015-7024964 (2015-09-11)
공개번호 10-2015-0122680 (2015-11-02)
등록번호 10-2222947-0000 (2021-02-25)
우선권정보 프랑스(FR) 1351525 (2013-02-21)
국제출원번호 PCT/EP2014/053463 (2014-02-21)
국제공개번호 WO 2014/128269 (2014-08-28)
번역문제출일자 2015-09-11
DOI http://doi.org/10.8080/1020157024964
발명자 / 주소
  • 날 파트리스 / 프랑스 에프-***** 그레노블 뤼 세르방 **
  • 보레앙 크리스토프 / 프랑스 에프-***** 르 투베 레 자르댕 뒤 빌라쥬
  • 비티엘로 쥘리엥 / 프랑스 에프-***** 그레노블 뤼 알프레드 드 비니 **베
출원인 / 주소
  • 코버스 에스아에스 / 프랑스 ***** 몽보느 쌩-마르땡 자끄 드 프르 미예 뤼 아리스띠드 베르쥬 ***
대리인 / 주소
  • 김함곤; 안광석; 박영일
심사청구여부 있음 (2019-02-21)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 화학 증착용 반응기 장치(1)에 관한 것으로서, 상기 반응기 장치는 측벽(19)을 구비한 반응 챔버(4), 주변 표면(5b)을 구비한 기판 스탠드(5), 및 반응 가스 주입기(30)를 대면하는 주면(5a)을 포함하고, 상기 주입기(30)와 상기 주면(5a) 사이에는 작업 공간(60)이 한정된다.상기 기판 스탠드(5)는 상기 반응 챔버(4)의 측벽(19)과 상기 기판 스탠드(5)의 주변 표면(5b) 사이에 고리형 통로(107)가 형성되도록 반응 챔버(4) 안에 배치된다.가스 배출 시스템(49)은 상기 작업 공간(60)을 대

대표청구항

내부 측벽(19)을 갖는 반응 챔버(reaction chamber; 4);상기 반응 챔버(4) 안으로 개방된 반응 가스 주입기(reactive gas injector; 30);적어도 하나의 기판을 지지하는 주면(main face; 5a)과 주변 표면(peripheral surface; 5b)을 구비한 기판 지지대(substrate support; 5)로서, 상기 주면(5a)은 주면(5a)과 상기 반응 가스 주입기(30)의 사이에 작업 공간(60)이 한정되도록 반응 가스 주입기(30)를 대면하게 배치되는, 기판 지지대(5);상기 작업

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [미국] Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor with recirculation suppressing flow guide | Kennedy Adam M. (Goleta CA)
  2. [일본] SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR | KAWADA YOSHINOBU, BANJO TOSHINOBU
  3. [한국] 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | 이케다가즈히토, 니시타니에이스케, 사쿠마하루노부, 나카고미가즈히로
  4. [한국] 분무 중합 방법 | 슈미드, 마르쿠스, 사이들, 볼커, 디스틀러, 디터, 한레, 한스-요아힘, 뢰슈, 데니스, 모리즈, 한스-울리히, 크뤼거, 마르코
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