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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2016-0023232 (2016-02-26) | |
| 공개번호 | 10-2016-0121384 (2016-10-19) | |
| 등록번호 | 10-2172272-0000 (2020-10-26) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020160023232 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2020-03-04) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판을 식각하기 위한 에칭 용액의 액적과 상기 에칭 용액의 희석을 위한 희석 용액의 액적을 상기 분석 대상 기판상으로 시간 간격을 두고 순차 공급하는 과정을 포함하며, 상기 에칭 용액 및 상기 희석 용액은 유로를 통하여 상기 노즐로 이송되는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 웨이퍼의 특정 지점에서 깊이 방향의 프로파일을 얻을 수 있는 효과가 있으며, 특히 에칭 용액을 스캔 용액으로 희석함으로써 에칭 용액만을 사용하는 경우에 비하여 시료의 양을 증대시키며 이에 따라 분석기에서
분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 오염물을 포집한 후 분석하기 위한 기판 오염물 분석 장치를 이용한 기판 오염물 분석 방법으로서,상기 분석 대상 기판을 식각하기 위한 에칭 용액의 액적과 상기 에칭 용액의 희석을 위한 희석 용액의 액적을 상기 분석 대상 기판상으로 시간 간격을 두고 순차 공급하는 제 1 단계;를 포함하며,상기 에칭 용액 및 상기 희석 용액은 유로를 통하여 상기 노즐로 이송되며,상기 식각의 깊이를 조절하기 위하여 상기 시간 간격을 조절하는,것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.
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