[특허]세라믹 기판의 비아홀 충진 방법

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세라믹 기판의 비아홀 충진 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/768 H01L-021/02 H01L-021/268 H01L-021/285 H01L-021/288 H01L-021/48
출원번호	10-2016-0027539 (2016-03-08)
공개번호	10-2017-0104757 (2017-09-18)
등록번호	10-2504238-0000 (2023-02-22)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020160027539
발명자 / 주소	우경환 / 경기도 용인시 기흥구 금화로번길 , *동 *호 (상갈동, 금화마을대우현대단지아파트) 박익성 / 서울특별시 관악구 관악로 *, 동 *호 (봉천동, 성현동아아파트) 조현춘 / 경기도 성남시 수정구 수정로 , 동 *호 (신흥동, 신흥주공아파트)
출원인 / 주소	주식회사 아모센스 / 충청남도 천안시 서북구 직산읍 산단길 *, 천안 제지방산업단지 *-블럭
대리인 / 주소	(유)한양특허법인
심사청구여부	있음 (2021-03-05)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

본 발명은 세라믹 기판의 비아홀 충진 방법 및 이를 이용하여 충진된 세라믹 기판의 비아홀 충진체에 관한 것으로 세라믹 기재에 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀 내에 도전체를 형성한 후 진공 상태에서 상기 도전체를 멜팅시키고 다시 냉각시킴으로써세라믹 기판의 비아홀을 기공없이 간단하게 도전체로 충진시킬 수 있어 세라믹 기판의 제조과정을 단순화하고, 제조 비용을 절감하며, 세라믹 기판의 작동 신뢰성을 향상시키고, 고전력 반도체 모듈에서 사용 시 안정적인 작동 신뢰성을 확보한다.

대표청구항 ▼

세라믹 기재에 비아홀을 형성하는 비아홀 형성단계;상기 비아홀 내에 도전체를 형성하는 도전체 형성단계; 및 진공 상태에서 상기 도전체를 멜팅시키고 다시 냉각시키는 진공 멜팅단계를 포함하고,상기 도전체 형성단계는, 상기 비아홀의 내주면에 물리증착법으로 제1증착 도전층과, 상기 세라믹 기재의 일면에 회로패턴 형성을 위한 제1증착 전극층을 함께 형성하는 제1증착과정;상기 비아홀의 내부에서 상기 제1증착 도전층 상에 물리증착법으로 제2증착 도전층과, 상기 제1증착 전극층 상에 회로패턴 형성을 위한 제2증착 전극층을 함께 형성하는 제2증착과정; 및 상기 비아홀 내에 도금으로 도금체 및 상기 제2증착 전극층 상에 도금 전극층을 함께 형성하는 도금과정을 포함하며, 상기 진공 멜팅단계는 상기 도금체를 진공 멜팅시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 비아홀 충진 방법.

발명자의 다른 특허 :

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[한국] 세라믹 배선 기판, 반도체 장치, 및 세라믹 배선 기판의 제조 방법 | 히로세 요시유키, 스기타니 사치에, 고마 노리히토, 토요시마 고헤이, 우에니시 노보루
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[일본] SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE | MUTA TADAYOSHI, MORIMOTO HIROYUKI, TACHIKAWA HITOSHI, TAKAYAMA MANABU, SUDO MASANORI, SAITO RIICHI
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[일본] BASE SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BASE SUBSTRATE | NAKAGAWA NAOHIRO
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특허 원문 보기

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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