초록

본 개시 내용의 구체예에 따르면, 다양한 미세 패턴을 구현할 수 있으나 비교적 낮은 기계적 강도로 인하여 기존에 사출 성형에 적용되기 곤란한 반도체 공정으로부터 제작된 스탬프를 이용하면서도 간편하고 저렴한 비용으로 고분자 성형물을 제조할 수 있는 고분자 캐스팅 또는 사출 성형 장치 및 방법이 기재된다.

대표청구항 ▼

a) 성형용 챔버 및 온도 조절용 컨트롤러를 포함하는 고분자 캐스팅 장치를 제공하는 단계, 여기서 상기 성형용 챔버는, (i) 방열 팬 부재; (ii) 상기 방열 팬 부재 상에 위치하며 상기 컨트롤러에 의하여 조절되는 성형 온도 조건을 제공하는 히터 부재; (iii) 상기 히터 부재 상에 위치하는 하판 부재; (iv) 소정의 폭 및 두께를 가지면서 상기 하판 부재의 외주를 따라 위치하는 금속 재질의 중판 부재; (v) 상기 중판 부재의 두께에 의하여 형성된 내측 입체 공간의 하측 면 상에 장착되며, 반도체 제조 공정에 의하여 미세

a) 성형용 챔버 및 온도 조절용 컨트롤러를 포함하는 고분자 캐스팅 장치를 제공하는 단계, 여기서 상기 성형용 챔버는, (i) 방열 팬 부재; (ii) 상기 방열 팬 부재 상에 위치하며 상기 컨트롤러에 의하여 조절되는 성형 온도 조건을 제공하는 히터 부재; (iii) 상기 히터 부재 상에 위치하는 하판 부재; (iv) 소정의 폭 및 두께를 가지면서 상기 하판 부재의 외주를 따라 위치하는 금속 재질의 중판 부재; (v) 상기 중판 부재의 두께에 의하여 형성된 내측 입체 공간의 하측 면 상에 장착되며, 반도체 제조 공정에 의하여 미세 패턴이 형성된 스탬프; 및 (vi) 상기 중판 부재와 접촉하며 배치되고, 액상의 고분자 성형 원료를 상기 내측 입체 공간 내로 도입하기 위한 주입용 관통 영역 및 성형 중 발생되는 가스를 배출하기 위한 벤팅용 관통 영역이 각각 형성된 상판 부재를 포함하고, 상기 상판 부재의 주입용 관통 영역은 착탈식으로 부착되는 시린지(syringe)와 유체 연통 가능하도록 구성됨;b) 이와 별도로 시린지에 액상의 고분자 성형 원료를 충진하는 단계;c) 상기 시린지 내에 충진된 액상의 고분자 성형 원료를 상기 상판 부재의 주입용 관통 영역을 통하여 최대 1200 kgf/cm2의 주입 압력 하에서 상기 성형용 챔버의 내측 입체 공간으로 도입하는 단계;d) 상기 히터 부재에 의한 온도 조절 하에 상온 내지 300℃의 온도에서 상기 도입된 액상의 고분자 성형 원료를 상기 성형용 챔버 내에서 스탬프의 미세 패턴에 따라 성형하여 미세유체 디바이스를 제조하는 단계; 및e) 상기 성형된 미세유체 디바이스를 상기 성형용 챔버로부터 분리하여 회수하는 단계;를 포함하며,여기서, 상기 스탬프는 100 내지 1000 ㎛ 두께를 갖는, Si, SiO2, 또는 Si 표면 상에 형성된 SiO2 재질의 웨이퍼 상에 미세 패턴이 형성된 것으로, 상기 미세 패턴은 10 내지 1000 nm의 깊이를 갖는 미세유체 디바이스를 제조하는 방법.