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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0042966 (2016-04-07) | |
공개번호 | 10-2016-0120680 (2016-10-18) | |
등록번호 | 10-1851849-0000 (2018-04-18) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020150049570 (2015-04-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160042966 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-04-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 명세서는 고분자 전해질막, 상기 고분자 전해질막을 포함하는 전기화학 전지, 상기 전기화학 전지를 포함하는 전기화학 전지모듈, 상기 고분자 전해질막을 포함하는 흐름전지, 고분자 전해질막의 제조방법 및 흐름 전지용 전해액에 관한 것이다.
제1 전극 활물질을 포함하는 제1 전해액이 주입 및 배출되는 제1 전극; 제2 전극 활물질을 포함하는 제2 전해액이 주입 및 배출되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 고분자 전해질막을 포함하는 것인 흐름 전지로서,상기 고분자 전해질막은 내부에 구비된 크로스오버 방지층을 포함하고,상기 크로스오버 방지층은 고분자 전해질막의 표면으로부터 전해질막의 두께의 10% 이상 90% 이하에 위치하고,상기 크로스오버 방지층의 두께는 1㎛ 이상 100㎛ 이하이며,상기 크로스오버 방지층은 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 구리
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