초록

본 명세서는 고분자 전해질막, 상기 고분자 전해질막을 포함하는 전기화학 전지, 상기 전기화학 전지를 포함하는 전기화학 전지모듈, 상기 고분자 전해질막을 포함하는 흐름전지, 고분자 전해질막의 제조방법 및 흐름 전지용 전해액에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

제1 전극 활물질을 포함하는 제1 전해액이 주입 및 배출되는 제1 전극; 제2 전극 활물질을 포함하는 제2 전해액이 주입 및 배출되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 고분자 전해질막을 포함하는 것인 흐름 전지로서,상기 고분자 전해질막은 내부에 구비된 크로스오버 방지층을 포함하고,상기 크로스오버 방지층은 고분자 전해질막의 표면으로부터 전해질막의 두께의 10% 이상 90% 이하에 위치하고,상기 크로스오버 방지층의 두께는 1㎛ 이상 100㎛ 이하이며,상기 크로스오버 방지층은 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 구리

제1 전극 활물질을 포함하는 제1 전해액이 주입 및 배출되는 제1 전극; 제2 전극 활물질을 포함하는 제2 전해액이 주입 및 배출되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 고분자 전해질막을 포함하는 것인 흐름 전지로서,상기 고분자 전해질막은 내부에 구비된 크로스오버 방지층을 포함하고,상기 크로스오버 방지층은 고분자 전해질막의 표면으로부터 전해질막의 두께의 10% 이상 90% 이하에 위치하고,상기 크로스오버 방지층의 두께는 1㎛ 이상 100㎛ 이하이며,상기 크로스오버 방지층은 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 구리(Cu), 수은(Hg), 은(Ag) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함하는 것인 흐름 전지.