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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0043583 (2016-04-08) | |
등록번호 | 10-1759274-0000 (2017-07-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160043583 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-04-08) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 기판, 상기 기판 상에 흡착된 탄소나노튜브 및 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 형성된 전극을 포함하며, 상기 탄소나노튜브의 표면에 검출대상 가스 분자가 통과할 수 있는 크기의 홀(hole)이 적어도 하나 이상 형성되어 있는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 열처리 공정만으로 시판중인 탄소나노튜브의 표면에 홀을 형성하고, 이를 감지물질로 이용함으로써 가스센서의 반응도 및 회복율을 향상시킬 수 있다.
기판, 상기 기판 상에 흡착된 탄소나노튜브 및 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 형성된 전극을 포함하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서로서,상기 전극이 형성된 기판을 급속열처리(rapid thermal annealing; RTA)하여 상기 탄소나노튜브의 탄소 결합부분이 끊어지면서 형성되고, 상기 탄소나노튜브의 표면에 검출대상 가스 분자가 통과할 수 있는 크기의 홀(hole)이 적어도 하나 이상 형성되되,상기 검출대상 가스 분자 중 상기 홀을 통과한 검출대상 가스 분자는 상기 탄소나노튜브 내벽에 흡착되어 검출되고, 상기 홀을
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