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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0060942 (2016-05-18) | |
공개번호 | 10-2017-0130670 (2017-11-29) | |
등록번호 | 10-1816877-0000 (2018-01-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160060942 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-05-18) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 채널 층, 채널 층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 및 채널 층과 절연된 게이트 전극을 포함하고, 채널 층은 두께에 따라 상이한 결정 특성을 가지며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래 부분이 나머지 부분보다 더 두껍게 형성될 수 있다.
채널 층;상기 채널 층 상의 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 채널 층과 절연된 게이트 전극을 포함하고,상기 채널 층은,두께에 따라 상이한 결정 특성을 가지며,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래 부분이 나머지 부분보다 더 두껍게 형성되고,상기 채널 층은,제1 영역; 상기 제1 영역과 상기 소스 전극 사이의 제2 영역; 및상기 제1 영역과 상기 드레인 전극 사이의 제3 영역을 포함하며,상기 제1 영역은 반도체 특성을 갖고,상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 금속 특성을 갖는 박막 트랜지스터.
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