초록

본 발명에 의한 웨이퍼 가공용 보호 코팅제에 의하면 웨이퍼 표면에 수산화 폴리우레탄을 포함하는 코팅층을 형성시킴으로써, 반도체 제조 공정 중에 웨이퍼의 절삭을 포함하는 가공 공정에서 웨이퍼 표면 상에 발생하는 손상을 근본적으로 방지할 수 있는 보호 코팅제를 제조할 수 있다.

대표청구항 ▼

중량평균분자량(Mw) 100 ~ 10,000의 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 폴리우레탄 수지 15 ~ 45중량%, 극성유기용매 45 ~ 80중량%, 표면조절용 첨가제 0.0001~1중량%, 유동성 조정제 0.0001~1중량%, 부착증진제 0.0001~1중량% 및 물 1~10중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 코팅제의 조성물;[화학식 1]상기 화학식 1에서 R1 내지 R3, R5 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 4개 이하의 알킬기 또는 탄소수 5 ~ 24개의 아릴기이고, R4,

중량평균분자량(Mw) 100 ~ 10,000의 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 폴리우레탄 수지 15 ~ 45중량%, 극성유기용매 45 ~ 80중량%, 표면조절용 첨가제 0.0001~1중량%, 유동성 조정제 0.0001~1중량%, 부착증진제 0.0001~1중량% 및 물 1~10중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 코팅제의 조성물;[화학식 1]상기 화학식 1에서 R1 내지 R3, R5 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 4개 이하의 알킬기 또는 탄소수 5 ~ 24개의 아릴기이고, R4, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 탄소수 4개 이하의 알킬렌기 또는 탄소수 5 ~ 24개의 아릴렌기이며, n 및 k는 각각 독립적으로 0 ~ 10 인 유리수이고, m은 독립적으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 중량평균분자량을 만족하는 유리수이다.