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연합인증

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n-on-p 구조의 고효율 GaAs 박막형 태양전지 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-031/072
  • H01L-031/0224
  • H01L-031/0392
  • H01L-031/18
출원번호 10-2016-0097684 (2016-07-31)
등록번호 10-1773458-0000 (2017-08-25)
우선권정보 대한민국(KR) 1020160047424 (2016-04-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160097684
발명자 / 주소
  • 이재진 / 서울특별시 양천구 목동동로 ***, ****동 ***호 (신정동, 신시가지**단지아파트)
  • 허준석 / 서울특별시 동작구 동작대로**길 ***, **동 ***호 (사당동, 극동아파트)
  • 문성현 / 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***동 ****호 (역삼동, 개나리래미안아파트)
출원인 / 주소
  • 아주대학교산학협력단 / 경기도 수원시 영통구 월드컵로 *** (원천동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 제나
심사청구여부 있음 (2016-07-31)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 태양전지의 제조 방법은, 제1 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층의 하면 및 상면 중 적어도 일면 상에 변형률을 내재하는 식각 정지층을 형성하는 단계, 식각 정지층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계, 제1 전극층과 제2 기판을 결합시키는 단계, 희생층을 제거하여 활성층으로부터 제1 기판을 분리시키는 단계, 및 제1 기판 및 희생층이 제거된 활성층 면에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항

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발명자의 다른 특허 :

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  1. [한국] 에피택셜 리프트 오프 및 냉간 용접 결합된 반도체 태양 전지를 사용한 일체형 태양열 집열기 | 포레스트 스티븐 알, 렌쇼 크리스토퍼 카일, 스루트스키 마이클
  2. [한국] 고효율 화합물 반도체 태양 전지를 위한 구조 및 방법 | 카프르, 파완, 모슬레히, 메드다드, 엠.
  3. [한국] 에피택셜 리프트 오프의 가속을 위한 변형 제어 | 포레스트 스티븐 알, 이 규상, 짐머만 제라미
  4. [국제] NON-DESTRUCTIVE WAFER RECYCLING FOR EPITAXIAL LIFT-OFF THIN-FILM DEVICE USING A SUPERLATTICE EPITAXIAL LAYER | FORREST STEPHEN R FORREST, LEE KYUSANG, FAN DEIJU,
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