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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0097684 (2016-07-31) | |
등록번호 | 10-1773458-0000 (2017-08-25) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020160047424 (2016-04-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160097684 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-07-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 태양전지의 제조 방법은, 제1 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층의 하면 및 상면 중 적어도 일면 상에 변형률을 내재하는 식각 정지층을 형성하는 단계, 식각 정지층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계, 제1 전극층과 제2 기판을 결합시키는 단계, 희생층을 제거하여 활성층으로부터 제1 기판을 분리시키는 단계, 및 제1 기판 및 희생층이 제거된 활성층 면에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
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