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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0103796 (2016-08-16) | |
등록번호 | 10-1802664-0000 (2017-11-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160103796 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-08-16) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 소수성 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법을 개시한다.본 발명의 실시예에 따른 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법에 있어서, 소수성 기재의 표면을 친수성 고분자로 그래프팅(grafting)시키는 단계, 상기 그래프팅된 기재의 표면을 실란 화합물로 실란 처리(silanization)하는 단계, 상기 실란 처리된 기재의 표면을 아민 화합물과 반응시키는 단계 및 아민 화합물과 반응시킨 기재 표면을 경화시키는 단계를 포함함으로써, 친수성으로 개질된 기재 표면은 2개의 친수성 그룹을 가지고, 이를 통해 기재 표면의 친
소수성 기재의 표면을 친수성 고분자로 그래프팅(grafting)시키는 단계;상기 그래프팅된 기재의 표면을 실란 화합물(silane compound)로 실란 처리(silanization)하는 단계; 및상기 실란 처리된 기재의 표면을 아민 화합물(amine compound)과 반응시키는 단계를 포함하고,친수성으로 개질된 소수성 기재의 표면은 상기 친수성 고분자로 그래프팅된 제1 친수성 그룹 및 상기 실란 처리되고, 상기 아민 화합물과 반응하여 형성된 제2 친수성 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하
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