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연합인증

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소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법 및 그 방법을 이용하여 표면이 친수성으로 개질된 기재 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C08J-007/12
  • C08J-003/24
  • C08J-007/04
  • C08J-007/16
출원번호 10-2016-0103796 (2016-08-16)
등록번호 10-1802664-0000 (2017-11-22)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160103796
발명자 / 주소
  • 박범준 / 경기도 용인시 기흥구 덕영대로 ****, 화학공학과(서천동, 경희대학교국제캠퍼스)
  • 김경학 / 경기도 수원시 영통구 청명로**번길 *, ***호(영통동)
  • 임상혁 / 경기도 용인시 기흥구 덕영대로 ****, 화학공학과(서천동, 경희대학교국제캠퍼스)
출원인 / 주소
  • 경희대학교 산학협력단 / 경기도 용인시 기흥구 덕영대로 **** (서천동, 경희대학교 국제캠퍼스내)
대리인 / 주소
  • 김연권
심사청구여부 있음 (2016-08-16)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 소수성 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법을 개시한다.본 발명의 실시예에 따른 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법에 있어서, 소수성 기재의 표면을 친수성 고분자로 그래프팅(grafting)시키는 단계, 상기 그래프팅된 기재의 표면을 실란 화합물로 실란 처리(silanization)하는 단계, 상기 실란 처리된 기재의 표면을 아민 화합물과 반응시키는 단계 및 아민 화합물과 반응시킨 기재 표면을 경화시키는 단계를 포함함으로써, 친수성으로 개질된 기재 표면은 2개의 친수성 그룹을 가지고, 이를 통해 기재 표면의 친

대표청구항

소수성 기재의 표면을 친수성 고분자로 그래프팅(grafting)시키는 단계;상기 그래프팅된 기재의 표면을 실란 화합물(silane compound)로 실란 처리(silanization)하는 단계; 및상기 실란 처리된 기재의 표면을 아민 화합물(amine compound)과 반응시키는 단계를 포함하고,친수성으로 개질된 소수성 기재의 표면은 상기 친수성 고분자로 그래프팅된 제1 친수성 그룹 및 상기 실란 처리되고, 상기 아민 화합물과 반응하여 형성된 제2 친수성 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] PRODUCTION OF ANTI-FOGGING PLASTIC | TAJIMA YOSUKE
  2. [일본] MANUFACTURING METHOD OF ELECTROLYTE MEMBRANE, ELECTROLYTE MEMBRANE, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY, AND SOLID POLYMER FUEL CELL | MIYAMA TOSHIHITO, NAKAJIMA HIDEYASU, KONNO YOSHIHARU, KANO MASASHI
  3. [일본] SYNTHETIC RESIN LAMINATE HAVING THERMOSETTING HARD COAT LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME | KAWAKAMI KAZUNOBU, TANAKA AKIHIRO

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 플라즈마 및 실란 처리를 통한 불소계 기반의 고분자 표면 친수처리 방법 | 김성곤, 김현준
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