[특허]3족-5족 화합물 반도체 소자 제조 방법 및 그 반도체 소자

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3족-5족 화합물 반도체 소자 제조 방법 및 그 반도체 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/8238 H01L-021/324 H01L-021/8252 H01L-027/092 H01L-029/205 H01L-029/778
출원번호	10-2016-0109437 (2016-08-26)
공개번호	10-2018-0023686 (2018-03-07)
등록번호	10-1959378-0000 (2019-03-12)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020160109437
발명자 / 주소	주현수 / 서울특별시 성북구 화랑로*길 송진동 / 서울특별시 성북구 화랑로*길 노일표 / 서울특별시 성북구 화랑로*길 장준연 / 서울특별시 성북구 화랑로*길
출원인 / 주소	한국과학기술연구원 / 서울특별시 성북구 화랑로*길 (하월곡동)
대리인 / 주소	김영철; 김 순 영
심사청구여부	있음 (2016-08-26)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

실시예들은 기판 상에 제1형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층의 소정 부분을 제2형으로 변환하는 단계를 포함하는 3족-5족 화합물 반도체 소자 제조 방법 및 이 제조 방법으로 제조된 3족-5족 화합물 반도체 소자에 관련된다.

대표청구항 ▼

기판 상에 제1형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층의 소정 부분을 제1형과 다른 제2형으로 변환하여 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층과 동일 평면 상에 위치하는 제2형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층을 부분적으로 마스킹함으로써 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층의 소정 부분에, 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층에 포함된 5족 원소보다 낮은 원자번호를 갖는 5족 물질을 치환 또는 도핑하여 상기 제2형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2형 3족-5족 화합물 반도체층은 3족-5족x-5족y (x+y=1) 화합물 반도체층인 것을 특징으로 하는 3족-5족 화합물 반도체 소자 제조 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (4)

[한국] 에피택셜 구조, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 소자 | 로켄버거, 죠르그, 쥬르커, 파비오, 타카시마, 마오
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[한국] 쇼트키 다이오드 스위치 및 이를 포함하는 메모리 유닛들 | 김, 영, 누룰, 아민, 다디, 세티아디, 베누고팔란, 바이트야나탄, 웨이, 티안, 진, 인식
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[일본] LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF | SHIMAOKA GORO, UDAGAWA TAKASHI
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[일본] LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT | BADER STEFAN, HAHN BERTHOLD, HAERLE VOLKER, LUGAUER HANS-JURGEN, MUNDBROD-VANGEROW MANFRED, EISERT DOMINIK
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

[특허] 3족-5족 화합물 반도체 장치

저작권 관리 안내

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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