최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2016-0109437 (2016-08-26) | |
공개번호 | 10-2018-0023686 (2018-03-07) | |
등록번호 | 10-1959378-0000 (2019-03-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160109437 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2016-08-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
실시예들은 기판 상에 제1형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층의 소정 부분을 제2형으로 변환하는 단계를 포함하는 3족-5족 화합물 반도체 소자 제조 방법 및 이 제조 방법으로 제조된 3족-5족 화합물 반도체 소자에 관련된다.
기판 상에 제1형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층의 소정 부분을 제1형과 다른 제2형으로 변환하여 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층과 동일 평면 상에 위치하는 제2형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2형 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층을 부분적으로 마스킹함으로써 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층의 소정 부분에, 상기 제1형 3족-5족 화합물 반도체층에 포함된 5족 원소보다 낮은 원자번호를
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.