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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0109532 (2016-08-26) | |
공개번호 | 10-2017-0037510 (2017-04-04) | |
등록번호 | 10-1888749-0000 (2018-08-08) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020150137106 (2015-09-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160109532 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-07-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 인탱글형 탄소 나노튜브, 분산매, 및 하기 수학식 1에 따라 계산되는 잔류 이중 결합(RDB)값이 0.5 내지 40 중량%인 부분 수소화 니트릴 고무를 포함하고, 상기 탄소 나노튜브의 분산 입경이 입경 분포 D50 2 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 분산액, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 전극 슬러리 및 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다.
인탱글형 탄소 나노튜브, 분산매, 및 하기 수학식 1에 따라 계산되는 잔류 이중 결합(RDB)값이 0.5 내지 40 중량%인 부분 수소화 니트릴 고무를 포함하고, 상기 탄소 나노튜브의 분산 입경이 입경 분포 D50 2 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 분산액:[수학식 1]RDB(중량%)=BD 중량/(BD 중량 + HBD 중량)×100상기 수학식 1에서 BD는 공액 디엔 유래 구조 단위를, HBD는 수소화된 공액 디엔 유래 구조 단위를 각각 의미한다.
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