초록

본 발명은 투명 전극 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노 클러스터층을 포함함으로써 질화물 반도체와의 오믹접촉 형성을 위한 투명 전극 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 질화갈륨 반도체의 표면에 스퍼터링 방식으로 투명 전극을 형성할 시 스퍼터링에 앞서 나노 클러스터 층을 형성함으로써, 스퍼터링에 의한 이온 데미지를 억제할 수 있어 질화물 반도체층에 우수한 오믹 접촉을 형성할 수 있다.

대표청구항 ▼

질화물 반도체층의 상부에 백금(Pt) 금속층을 15 Å ~ 25Å의 두께로 증착하는 1단계;상기 백금(Pt) 금속층을 질소분위기에서 700℃ ~ 800℃의 온도로 5 ~ 10 분 동안 열처리하여 금속층을 10 ~ 20nm의 높이를 가지는 나노 클러스터 층으로 변환시키는 2단계; 및상기 나노 클러스터 층의 상부에 스퍼터링 공정을 이용하여 ITO(Indium-tin oxide) 투명 전극을 형성하는 3단계; 를 포함하고,상기 나노 클러스터 층은 나노 클러스터가 형성되지 않은 빈 부분의 면적이 나노 클러스터의 면적에 대하여 20 ~ 40

질화물 반도체층의 상부에 백금(Pt) 금속층을 15 Å ~ 25Å의 두께로 증착하는 1단계;상기 백금(Pt) 금속층을 질소분위기에서 700℃ ~ 800℃의 온도로 5 ~ 10 분 동안 열처리하여 금속층을 10 ~ 20nm의 높이를 가지는 나노 클러스터 층으로 변환시키는 2단계; 및상기 나노 클러스터 층의 상부에 스퍼터링 공정을 이용하여 ITO(Indium-tin oxide) 투명 전극을 형성하는 3단계; 를 포함하고,상기 나노 클러스터 층은 나노 클러스터가 형성되지 않은 빈 부분의 면적이 나노 클러스터의 면적에 대하여 20 ~ 40%이고, 파장 450 nm에서 측정한 투과도가 85% ~ 90%이며 면저항은 15 ~ 20 Ω/cm2인 투명 전극 박막의 제조방법.