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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0136757 (2016-10-20) | |
공개번호 | 10-2018-0043696 (2018-04-30) | |
등록번호 | 10-1963482-0000 (2019-03-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160136757 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-10-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자를 제공한다. 상기 자기 터널 접합 소자는 차례로 적층된 고정 자성체, 절연체, 및 자유 자성체를 구비하는 자기 터널 접합 및 상기 자기 터널 접합의 상기 자유 자성체에 인접하여 상기 자기 터널 접합에 면내 전류를 인가하는 도선을 포함한다. 상기 자기 터널 접합 소자는 상기 고정 자성체는 고정 자화 방향을 갖고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질을 포함하는 박막이고, 상기 자유 자성체는 [보조 자유 자성층/자유 비자성층]N/메인 자유 자성층 구조이며, N은 2 이상의 자
고정 자성체, 자유 자성체, 및 상기 고정 자성체와 상기 자유 자성체 사이에 개재된 절연체를 구비하는 자기 터널 접합 및 상기 자기 터널 접합의 상기 자유 자성체에 인접하여 면내 전류가 흐르는 도선을 포함하는 자기 터널 접합 소자에 있어서,상기 고정 자성체는 고정 자화 방향을 갖고, 막 면에 대하여 수직 방향으로 자화되는 물질을 포함하는 박막이고,상기 자유 자성체는 [보조 자유 자성층/자유 비자성층]N/메인 자유 자성층 구조이며, N은 2 이상의 자연수이고, [보조 자유 자성층/자유 비자성층] 구조가 N번 반복 적층된 구조임을 나타
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