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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0139257 (2016-10-25) | |
공개번호 | 10-2018-0045302 (2018-05-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160139257 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-10-25) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 스핀 궤도 토크에 의해 자구벽 이동을 이용한 스핀 시냅스 소자에 관한 구조와 작동방법에 관한 것으로, 스핀 궤도 토크를 이용하여 낮은 값의 전류로 소자의 자유층의 자화 반전이 가능하고, 소자의 구조가 종래의 CMOS에 비해 간단하기 때문에 제작이 용이한 효과가 있다. 또한, 단순 공정으로 저전력의 메모리 제작이 가능하므로, 고집적 뉴로모픽 컴퓨터 소자에 적용이 용이한 효과가 있다.
기판 상에 형성된 전극;상기 전극 상에 형성되고, 스핀 궤도 토크에 따라 자구벽 이동이 발생하는자유층;상기 자유층 상에 형성된 비자기재료인 터널 장벽층;상기 터널 장벽층 상에 형성되고, 자화 방향이 고정된 제1 고정층;상기 제1 고정층 상에 형성된 스페이서층; 및 상기 스페이서층 상에 형성된 제2 고정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 시냅스 소자.
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