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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0141888 (2016-10-28) | |
공개번호 | 10-2018-0046574 (2018-05-09) | |
등록번호 | 10-2518144-0000 (2023-03-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160141888 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-09-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, 이중층 고체전해질을 포함하는 전고체전지 및 그 제조방법에 있어서, 음극활물질, 도전재, 바인더 및 기공형성입자를 포함하는 음극슬러리 및 양극활물질, 도전재, 바인더 및 기공형성입자를 포함하는 양극슬러리를 통해 다공성 음극층 및 다공성 양극층을 제조하는 단계와; 상기 다공성 음극층 및 상기 다공성 양극층에 서로 상이한 음극 고체전해질 슬러리 및 양극 고체전해질 슬러리를 각각 침윤(infiltration)시키는 단계와; 상기 음극고체전해질 슬러리 및 상기 양극 고체전해질 슬러리가 서로 마주하도록 양극과 음극을 적층 및 압착
이중층 고체전해질을 포함하는 전고체전지 제조방법에 있어서,음극활물질, 도전재, 바인더 및 기공형성입자를 포함하는 음극슬러리 및 양극활물질, 도전재, 바인더 및 기공형성입자를 포함하는 양극슬러리를 통해 다공성 음극층 및 다공성 양극층을 제조하는 단계와;상기 다공성 음극층 및 상기 다공성 양극층에 서로 상이한 음극 고체전해질 슬러리 및 양극 고체전해질 슬러리를 각각 침윤(infiltration)시키는 단계와;상기 음극고체전해질 슬러리 및 상기 양극 고체전해질 슬러리가 서로 마주하도록 양극과 음극을 적층 및 압착하는 단계를 포함하되,상기
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