초록 ▼

본 발명은 고해상도 포지티브 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 특히 감도, 해상도, 패턴 프로파일, PED 마진 등이 우수하고, 특히 친유성의 Bulky한 Chromophore 구조로 인하여 Etchant 침투에 대한 배척력 및 내열성이 우수하고, long alkyl chain을 포함한 Acid 구조로 인하여 산확산 속도 제어가 용이한 광산발생제를 적용하여, Wet Etch 접착력 및 내열성, 산포가 우수하며, 따라서 디스플레이, 반도체, MEMS, E-paper 등 Wet Etch 공정을 수반하는 소자에 적용될 수 있으며, TF

본 발명은 고해상도 포지티브 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 특히 감도, 해상도, 패턴 프로파일, PED 마진 등이 우수하고, 특히 친유성의 Bulky한 Chromophore 구조로 인하여 Etchant 침투에 대한 배척력 및 내열성이 우수하고, long alkyl chain을 포함한 Acid 구조로 인하여 산확산 속도 제어가 용이한 광산발생제를 적용하여, Wet Etch 접착력 및 내열성, 산포가 우수하며, 따라서 디스플레이, 반도체, MEMS, E-paper 등 Wet Etch 공정을 수반하는 소자에 적용될 수 있으며, TFT-LCD, OLED, 또는 O-TFT와 같은 대면적 고해상도 디스플레이에 사용하기에 특히 적합한 포지티브 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

a) 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체;b) 녹는점이 90 내지 300 ℃이고, 산(Acid)의 알킬그룹(Alkyl group)의 탄소수가 6 내지 20이며, 폴리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate)에 대한 용해도가 1 내지 15%인 광산발생제;d) 유기염기; 및e) 용매를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1의 식에서,상기 R1은 아세탈, 케탈이며, x + y + z = 1이며, x는 0.1-0.9이고, y는 0.0-0.6이고

a) 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체;b) 녹는점이 90 내지 300 ℃이고, 산(Acid)의 알킬그룹(Alkyl group)의 탄소수가 6 내지 20이며, 폴리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate)에 대한 용해도가 1 내지 15%인 광산발생제;d) 유기염기; 및e) 용매를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1의 식에서,상기 R1은 아세탈, 케탈이며, x + y + z = 1이며, x는 0.1-0.9이고, y는 0.0-0.6이고, z는 0.1-0.9이다.