최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2016-0153102 (2016-11-17) | |
공개번호 | 10-2018-0055340 (2018-05-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160153102 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 고해상도 포지티브 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 특히 감도, 해상도, 패턴 프로파일, PED 마진 등이 우수하고, 특히 친유성의 Bulky한 Chromophore 구조로 인하여 Etchant 침투에 대한 배척력 및 내열성이 우수하고, long alkyl chain을 포함한 Acid 구조로 인하여 산확산 속도 제어가 용이한 광산발생제를 적용하여, Wet Etch 접착력 및 내열성, 산포가 우수하며, 따라서 디스플레이, 반도체, MEMS, E-paper 등 Wet Etch 공정을 수반하는 소자에 적용될 수 있으며, TF
a) 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체;b) 녹는점이 90 내지 300 ℃이고, 산(Acid)의 알킬그룹(Alkyl group)의 탄소수가 6 내지 20이며, 폴리프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate)에 대한 용해도가 1 내지 15%인 광산발생제;d) 유기염기; 및e) 용매를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1의 식에서,상기 R1은 아세탈, 케탈이며, x + y + z = 1이며, x는 0.1-0.9이고, y는 0.0-0.6이고
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.